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半導體器件的低氣壓試驗

時間:2023-04-03 09:28:04 作者:環(huán)儀小編 點擊:次

環(huán)境高海拔模擬實驗室主要用于航空、航天、電子、國防、科研和其它工業(yè)部門確定電工的電子科技產(chǎn)品(包括元器件、材料和儀器儀表)在高低溫低氣壓單項或同時作用下,對試件進行貯存運輸可靠性試驗,并可對試件通電進行電氣性能參數(shù)的測試。


半導體器件的低氣壓試驗,需要用到高海拔環(huán)境模擬實驗室,下面我們了解一下該試驗方法


試驗設(shè)備:環(huán)境高海拔模擬實驗室

設(shè)備品牌:環(huán)儀儀器

產(chǎn)品型號:HYLA-2000

試驗標準:GB/T 4937.2-2006


高海拔模擬實驗室


1.試驗程序

樣品應按規(guī)定放置在密封室內(nèi),并按規(guī)定把氣壓減小到表1中的某個試驗條件。把樣品保持在規(guī)定的氣壓下,對它們進行規(guī)定的試驗。在試驗期間及試驗前的20 min內(nèi),試驗溫度應為25℃±10℃。對器件施加規(guī)定的電壓,在從常壓到規(guī)定的最低氣壓并恢復到常壓的整個過程中監(jiān)測器件是否出現(xiàn)故障。


半導體器件的低氣壓試驗(圖2)


2.試驗測量

連接器件,進行測量,并且在整個抽氣過程中施加規(guī)定的電壓。用微安表或示波器監(jiān)視施加最大電壓的器件引出端,從直流到30MHz范圍內(nèi)看其是否出現(xiàn)電暈放電電流。在未放置試驗器件的情況下,施加適用的試驗條件,校準試驗線路電流,以保證試驗數(shù)據(jù)真實反映被試器件的特性。


3.暴露后處理

在試驗的最后,將樣品從密封室中移出并在標準大氣條件下保持2 h~24 h。樣品上吸附的冰和水汽應預先除去。


標簽: 環(huán)境高海拔模擬實驗室 低氣壓試驗

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