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熱真空試驗(yàn)箱組件實(shí)驗(yàn)時(shí)的試驗(yàn)原則

時(shí)間:2023-04-13 09:16:44 作者:環(huán)儀小編 點(diǎn)擊:次

熱真空實(shí)驗(yàn)為航天工程用品和材料必做實(shí)驗(yàn),熱真空實(shí)驗(yàn)可以考核航天用品和材料的熱設(shè)計(jì),發(fā)現(xiàn)其在熱真空環(huán)境下的環(huán)境適應(yīng)性。實(shí)驗(yàn)組裝在實(shí)驗(yàn)的時(shí)候有什么試驗(yàn)原則呢?下面我們來(lái)了解一下。


熱真空試驗(yàn)箱實(shí)驗(yàn)組件的試驗(yàn)原則:


如果組件對(duì)真空環(huán)境不敏感,可以不做組件級(jí)熱真空試驗(yàn),反之,只要滿足以下條件中的一條時(shí),則應(yīng)該在真空環(huán)境中做試驗(yàn):


1.性能對(duì)真空和溫度敏感的射頻組件。


2.在最壞情況下, 組件的熱耗大于50W。


3.沒(méi)有飛行經(jīng)驗(yàn)的組件或沒(méi)有在熱真空試驗(yàn)中經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)鑒定的組件。


4.對(duì)壓力敏感的組件。


熱真空試驗(yàn)箱


5.溫度控制在 3℃范圍以內(nèi)以維持性能的組件。


6.供配電組件。


7.如果密封裝置在最壞情況下出現(xiàn)物理性的變形,使得裝置的外殼與附近的器件之,間的間隙可能引起短路(如2.5mm間隙)。


8.容易出現(xiàn)電暈或微放電的組件。


9.帶有高壓(大于 200V)且負(fù)載易出現(xiàn)電暈或微放電的組件。


10.帶有射頻高功率可能受電暈或微放電影響的組件。


11.電性能 受正常環(huán)境和真空熱環(huán)境之間溫度差影響的組件。


12.熱分析模型表明在空氣中對(duì)組件內(nèi)部的溫度水平和線路板的溫度梯度有明顯影響(大于10℃)的組件。


13.在熱耗最壞情況下,元器件外殼的預(yù)示溫度在允許的降額溫度限10℃以內(nèi)的組件。


14.如果確定了組件對(duì)真空不敏感而用常壓熱循環(huán)試驗(yàn)來(lái)代替熱真空試驗(yàn),考慮到由熱模型預(yù)示真空和常壓環(huán)境二者之間連接面的溫度差別,常壓下熱循環(huán)試驗(yàn)應(yīng)增加組件底板的溫度。在最壞情況下,二種環(huán)境之間的溫度差有以下幾種:


a.溫度差小于3℃, 可以用常壓熱循環(huán)試驗(yàn)代替熱真空試驗(yàn),不用修正底板溫度。


b.溫度差在3℃~10℃之間,如果其余的原則都滿足時(shí),可以用常壓熱循環(huán)試驗(yàn)代替真空試驗(yàn),底板溫度可適當(dāng)提高。


c.溫度差大于10℃,應(yīng)該在真空環(huán)境中作試驗(yàn)。


如果鑒定試驗(yàn)時(shí)組件的底板溫度超過(guò)驗(yàn)收試驗(yàn)的底板溫度10℃, 則b項(xiàng)和c項(xiàng)試驗(yàn)規(guī)定的10℃的限制可以提高到相應(yīng)的更高的底板溫度。


標(biāo)簽: 熱真空試驗(yàn)箱

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